An Improved Nonlinear I‐V Model for GaN HEMTs.

Autor:	Yuan, Qingyu1 (AUTHOR), Zhang, Yixin2 (AUTHOR), Luan, Xiaodong1 (AUTHOR), Zhang, Jun3 (AUTHOR), Xie, Chunxu3 (AUTHOR), Cheng, Jiali1 (AUTHOR) chengjl@jou.edu.cn, Palandoken, Merih (AUTHOR) merih.palandoken@ikcu.edu.tr
Zdroj:	International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. 7/31/2024, Vol. 2024, p1-8. 8p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.