Properties of phosphorus-boron co-doped c-Si quantum dots/SiNx:H thin film prepared by PECVD in-situ deposition.

Autor:	Gu, Zhifeng1 (AUTHOR) luoyanggzf@163.com, Shan, Feng2 (AUTHOR), Liu, Jia2 (AUTHOR) lj2000ppp933@163.com
Zdroj:	Scientific Reports. 9/16/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-10. 10p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.