Impact of Channel Thickness and Doping Concentration for Normally-Off Operation in Sn-Doped β -Ga 2 O 3 Phototransistors.

Autor:	Yoon, Youngbin1 (AUTHOR) ybyoon93@gmail.com, Kim, Yongki1 (AUTHOR), Shin, Myunghun1 (AUTHOR) mhshin@kau.ac.kr
Zdroj:	Sensors (14248220). Sep2024, Vol. 24 Issue 17, p5822. 15p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.