Modelling and Evalaution of the Bidirectional Surge Current Robustness of Si(-IGBT and -Diode), SiC(-MOSFETs and -JFET) and GaN(-HEMTs) Devices.

Autor:	Nehmer, Dominik1 (AUTHOR) dominik.nehmer@uni-bayreuth.de, Ringelmann, Tim1 (AUTHOR), Bakran, Mark-M.1 (AUTHOR) bakran@uni-bayreuth.de
Zdroj:	Energies (19961073). Sep2024, Vol. 17 Issue 17, p4362. 17p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.