Improving Ti Thin Film Resistance Deviations in Physical Vapor Deposition Sputtering for Dynamic Random-Access Memory Using Dynamic Taguchi Method, Artificial Neural Network and Genetic Algorithm.

Autor:	Lin, Chia-Ming1 (AUTHOR) p98121039@gs.ncku.edu.tw, Chen, Shang-Liang1 (AUTHOR) slchen@mail.ncku.edu.tw
Zdroj:	Mathematics (2227-7390). Sep2024, Vol. 12 Issue 17, p2688. 25p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.