Structural design and molecular beam epitaxy growth of GaAs and InAs heterostructures for high mobility two-dimensional electron gas.

Autor:	Wang, Tiantian1,2 wangtt@baqis.ac.cn, Song, Huading1,2, He, Ke1,2,3
Zdroj:	Quantum Frontiers. 7/26/2024, Vol. 3 Issue 1, p1-15. 15p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.