Electronic Properties of Group-III Nitride Semiconductors and Device Structures Probed by THz Optical Hall Effect.

Autor:	Armakavicius, Nerijus1,2 (AUTHOR) nerijus.armakavicius@liu.se, Kühne, Philipp1,2 (AUTHOR) alexis.papamichail@liu.se, Papamichail, Alexis1,2 (AUTHOR) vallery.stanishev@liu.se, Zhang, Hengfang1,2 (AUTHOR) plamen.paskov@liu.se, Knight, Sean1,2 (AUTHOR) mschubert4@unl.edu, Persson, Axel1,2 (AUTHOR), Stanishev, Vallery1,2 (AUTHOR), Chen, Jr-Tai1,3 (AUTHOR), Paskov, Plamen1,2 (AUTHOR), Schubert, Mathias1,4 (AUTHOR), Darakchieva, Vanya1,2,5 (AUTHOR) nerijus.armakavicius@liu.se
Zdroj:	Materials (1996-1944). Jul2024, Vol. 17 Issue 13, p3343. 18p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.