Influence of Carbon Source on the Buffer Layer for 4H-SiC Homoepitaxial Growth.

Autor:	Yang, Shangyu1,2 (AUTHOR) yangsy@semi.ac.cn, Guo, Ning1,2 (AUTHOR) guoning@semi.ac.cn, Zhao, Siqi1,2 (AUTHOR) zhaosiqi@semi.ac.cn, Li, Yunkai1,2 (AUTHOR) liyunkai@semi.ac.cn, Wei, Moyu1,2 (AUTHOR) weimoyu@semi.ac.cn, Zhang, Yang1,2,3 (AUTHOR) zhang_yang@semi.ac.cn, Liu, Xingfang1,2,3 (AUTHOR) zhang_yang@semi.ac.cn
Zdroj:	Materials (1996-1944). Jun2024, Vol. 17 Issue 11, p2612. 13p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.