Polarization Properties in GaN Double-Channel HEMTs at Mid-Infrared Frequencies.

Autor:	Xing, Runxian1,2 (AUTHOR), Guo, Hongyang3 (AUTHOR), Yu, Guohao2 (AUTHOR) ghyu2009@sinano.ac.cn, Zhou, Jiaan1,2 (AUTHOR), Yang, An2 (AUTHOR), Dai, Shige2 (AUTHOR), Zeng, Zhongming2 (AUTHOR), Zhang, Xingping1 (AUTHOR), Zhang, Baoshun2 (AUTHOR)
Zdroj:	Plasmonics. Jun2024, Vol. 19 Issue 3, p1121-1130. 10p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.