Ruddlesden–Popper Tin‐Based Halide Perovskite Field‐Effect Transistors.

Autor:	Yang, Wonryeol1 (AUTHOR), Dou, Letian2 (AUTHOR), Zhu, Huihui1,3 (AUTHOR) hhzhu1991@postech.ac.kr, Noh, Yong‐Young1 (AUTHOR) yynoh@postech.ac.kr
Zdroj:	Small Structures. Apr2024, Vol. 5 Issue 4, p1-19. 19p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.