Double-gate structure enabling remote Coulomb scattering-free transport in atomic-layer-deposited IGO thin-film transistors with HfO2 gate dielectric through insertion of SiO2 interlayer.

Autor:	Choi, Cheol Hee1 (AUTHOR), Kim, Taikyu2 (AUTHOR), Kim, Min Jae1 (AUTHOR), Kim, Gwang-Bok1 (AUTHOR), Oh, Jeong Eun1 (AUTHOR), Jeong, Jae Kyeong1 (AUTHOR) jkjeong1@hanyang.ac.kr
Zdroj:	Scientific Reports. 4/1/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-11. 11p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.