N 和As 掺杂二维 GeC 光电性质的第一性原理研究.

Autor: 李 萍1 1659681147@qq.com, 秦彦军1, 庞国旺1, 唐玉柱2, 张 遥2, 王 鹏2, 刘晨曦3 liuchenxi4674@sina.com
Zdroj: Journal of Synthetic Crystals. Mar2024, Vol. 53 Issue 3, p519-525. 7p.
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