Templates for Homoepitaxial Growth of 3C-SiC Obtained by Direct Bonding of Silicon Carbide Wafers of Differing Polytype.

Autor:	Mynbaeva, M. G.1 (AUTHOR) mgm@mail.ioffe.ru, Amelchuk, D. G.1 (AUTHOR), Smirnov, A. N.1 (AUTHOR), Nikitina, I. P.1 (AUTHOR), Lebedev, S. P.1 (AUTHOR), Davydov, V. Yu.1 (AUTHOR), Lebedev, A. A.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Jun2023, Vol. 57 Issue 6, p305-309. 5p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.