Bipolar Plasticity in Synaptic Transistors: Utilizing HfSe 2 Channel with Direct-Contact HfO 2 Gate Dielectrics.

Autor:	Lu, Jie1 (AUTHOR), Xiang, Zeyang1 (AUTHOR), Wang, Kexiang1 (AUTHOR), Shi, Mengrui1 (AUTHOR), Wu, Liuxuan1 (AUTHOR), Yan, Fuyu1 (AUTHOR), Li, Ranping1 (AUTHOR), Wang, Zixuan1 (AUTHOR), Jin, Huilin1 (AUTHOR), Jiang, Ran1 (AUTHOR) jiangran@nbu.edu.cn
Zdroj:	Inorganics. Feb2024, Vol. 12 Issue 2, p60. 11p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.