Polishing Mechanism of CMP 4H-SiC Crystal Substrate (0001) Si Surface Based on an Alumina (Al 2 O 3) Abrasive.

Autor:	Gong, Juntao1 (AUTHOR) gongjuntao111@outlook.com, Wang, Weilei2 (AUTHOR) awelly@mail.sim.ac.cn, Liu, Weili1,3 (AUTHOR) gongjuntao111@outlook.com, Song, Zhitang1,3 (AUTHOR)
Zdroj:	Materials (1996-1944). Feb2024, Vol. 17 Issue 3, p679. 11p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.