Effect of Noise on Resistive Switching of an Yttria Stabilized Zirconia Based Memristor.

Autor:	Gorshkov, O. N.1 (AUTHOR) gorshkov@nifti.unn.ru, Filatov, D. O.1 (AUTHOR), Koriazhkina, M. N.1 (AUTHOR), Lobanova, V. A.1 (AUTHOR), Riabova, M. A.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Journal of Experimental & Theoretical Physics. Nov2023, Vol. 137 Issue 5, p700-705. 6p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.