Node Voltage and KCL Model-Based Low Leakage Volatile and Non-Volatile 7T SRAM Cells.

Autor: Kumar, C. S. Hemanth1 (AUTHOR) hemanthcs@rediffmail.com, Kariyappa, B. S.2 (AUTHOR) kariyappabs@rvce.edu.in
Zdroj: IETE Journal of Research. Oct2023, Vol. 69 Issue 10, p7227-7243. 17p.
Databáze: Academic Search Ultimate
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje