In Situ and Real-Time Monitoring of Doping Levels by Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS) during Molecular Beam Epitaxial (MBE) Growth of III/V Semiconductors.

Autor:	Fouckhardt, Henning1 (AUTHOR), Richter, Johannes1 (AUTHOR), Doering, Christoph1 (AUTHOR), Strassner, Johannes1 (AUTHOR)
Zdroj:	Advances in Materials Science & Engineering. 12/13/2023, p1-12. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.