Fast Methods for Studying the Effect of Electrical Stress on SiO2 Dielectrics in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors.

Autor:	Messaoud, Dhia Elhak1 (AUTHOR) d.messaoud@univ-boumerdes.dz, Djezzar, Boualem2 (AUTHOR), Boubaaya, Mohamed2 (AUTHOR), Chenouf, Amel2 (AUTHOR), Benabdelmoumene, Abdelmadjid2 (AUTHOR), Zatout, Boumediene2 (AUTHOR), Zitouni, Abdelkader1 (AUTHOR)
Zdroj:	Instruments & Experimental Techniques. Dec2023, Vol. 66 Issue 6, p1095-1105. 11p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.