Vertical tunneling FET with Ge/Si doping-less heterojunction, a high-performance switch for digital applications.

Autor:	Cherik, Iman Chahardah1 (AUTHOR), Mohammadi, Saeed1 (AUTHOR) sd.mohammadi@semnan.ac.ir, Maity, Subir Kumar2 (AUTHOR)
Zdroj:	Scientific Reports. 11/22/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-12. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.