Effect of electrode materials on resistive switching behaviour of NbOx-based memristive devices.

Autor:	Leonetti, Giuseppe1 (AUTHOR), Fretto, Matteo2 (AUTHOR), Pirri, Fabrizio Candido1 (AUTHOR), De Leo, Natascia2 (AUTHOR), Valov, Ilia3,4 (AUTHOR) i.valov@fz-juelich.de, Milano, Gianluca2 (AUTHOR) g.milano@inrim.it
Zdroj:	Scientific Reports. 11/18/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-10. 10p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.