Effect of oxygen vacancy and Si doping on the electrical properties of Ta2O5 in memristor characteristics.

Autor:	Islam, Md. Sherajul1,2 (AUTHOR) sheraj_kuet@eee.kuet.ac.bd, Lee, Jonghoon1,3 (AUTHOR), Ganguli, Sabyasachi1 (AUTHOR), Roy, Ajit K.1 (AUTHOR) ajit.roy@us.af.mil
Zdroj:	Scientific Reports. 11/18/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-12. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.