An efficient extrinsic capacitances extraction method for small‐signal GaN HEMT devices.

Autor:	Zatout, Boumediene1,2 (AUTHOR), Maafri, Djabar1 (AUTHOR) dmaafri@cdta.dz, Taibi, Abdelkader1,3 (AUTHOR), Belaroussi, Yasmina1 (AUTHOR), Kerai, Salim2 (AUTHOR), Al Sabbagh, Mohamad4 (AUTHOR), Yagoub, Mustapha C. E.4 (AUTHOR)
Zdroj:	International Journal of Numerical Modelling. Nov2023, Vol. 36 Issue 6, p1-9. 9p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.