Controllable Resistive Switching in ReS2/WS2 Heterostructure for Nonvolatile Memory and Synaptic Simulation.

Autor:	Huang, Feihong1 (AUTHOR), Ke, Congming1 (AUTHOR), Li, Jinan1 (AUTHOR), Chen, Li2 (AUTHOR), Yin, Jun3 (AUTHOR), Li, Xu1 (AUTHOR) xuliphys@xmu.edu.cn, Wu, Zhiming1 (AUTHOR) zmwu@xmu.edu.cn, Zhang, Chunmiao1 (AUTHOR), Xu, Feiya1 (AUTHOR), Wu, Yaping1 (AUTHOR) ypwu@xmu.edu.cn, Kang, Junyong1 (AUTHOR) jykang@xmu.edu.cn
Zdroj:	Advanced Science. Oct2023, Vol. 10 Issue 28, p1-10. 10p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.