Suppressing Structural Relaxation in Nanoscale Antimony to Enable Ultralow‐Drift Phase‐Change Memory Applications.

Autor:	Chen, Bin1 (AUTHOR), Wang, Xue‐Peng1,2 (AUTHOR), Jiao, Fangying1 (AUTHOR), Ning, Long1 (AUTHOR), Huang, Jiaen1 (AUTHOR), Xie, Jiatao1 (AUTHOR), Zhang, Shengbai3 (AUTHOR), Li, Xian‐Bin2 (AUTHOR) lixianbin@jlu.edu.cn, Rao, Feng1 (AUTHOR) fengrao@szu.edu.cn
Zdroj:	Advanced Science. 9/5/2023, Vol. 10 Issue 25, p1-9. 9p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.