Enhanced performance of SOI MESFETs by displacement of gate contact and applying double oxide packets.

Autor:	Fath-Ganji, Behrooz1 (AUTHOR), Mir, Ali1 (AUTHOR) mir.a@lu.ac.ir, Naderi, Ali2 (AUTHOR), Talebzadeh, Reza1 (AUTHOR), Farmani, Ali1 (AUTHOR)
Zdroj:	Electrical Engineering. Oct2023, Vol. 105 Issue 5, p2781-2794. 14p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.