Impact of barrier layer thickness on DC and RF performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors.

Autor:	Anand, Anupama1,2 (AUTHOR), Sehra, Khushwant1 (AUTHOR), Chanchal1,2 (AUTHOR), Reeta2 (AUTHOR), Narang, Rakhi3 (AUTHOR), Rawal, D. S.2 (AUTHOR), Mishra, M.2 (AUTHOR), Saxena, Manoj4 (AUTHOR), Gupta, Mridula1 (AUTHOR) mridula@south.du.ac.in
Zdroj:	Applied Physics A: Materials Science & Processing. Aug2023, Vol. 129 Issue 8, p1-10. 10p. 3 Diagrams, 3 Charts, 10 Graphs.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.