Tunable Resistive Switching Behaviors and Mechanism of the W/ZnO/ITO Memory Cell.

Autor:	Yu, Zhiqiang1,2,3 (AUTHOR) 221077051@stdmail.gxust.edu.cn, Jia, Jinhao1 (AUTHOR) 221068387@stdmail.gxust.edu.cn, Qu, Xinru1 (AUTHOR) 221076997@stdmail.gxust.edu.cn, Wang, Qingcheng1 (AUTHOR) 221077056@stdmail.gxust.edu.cn, Kang, Wenbo1 (AUTHOR) liubaosheng@gxust.edu.cn, Liu, Baosheng1 (AUTHOR), Xiao, Qingquan2 (AUTHOR) gaotinghong@sina.com, Gao, Tinghong2 (AUTHOR) qxie@gzu.edu.cn, Xie, Quan2 (AUTHOR)
Zdroj:	Molecules. Jul2023, Vol. 28 Issue 14, p5313. 14p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.