The dependence of proton energy on the parametric degradation in silicon bipolar junction transistors.
Autor: | Hegde, Vinayakprasanna N.1 (AUTHOR) vinayakpnh@gmail.com, Bharathi, M. N.2 (AUTHOR), Pradeep, T. M.3 (AUTHOR), Gnana Prakash, A. P.4 (AUTHOR) |
---|---|
Zdroj: | Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Jul/Aug2023, Vol. 178 Issue 7/8, p1012-1024. 13p. |
Databáze: | Academic Search Ultimate |
Externí odkaz: | |
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje | K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit. |