Selective isotropic etching of SiO2 over Si3N4 using NF3/H2 remote plasma and methanol vapor.

Autor:	Gil, Hong Seong1 (AUTHOR), Kim, Doo San1 (AUTHOR), Jang, Yun Jong1 (AUTHOR), Kim, Dea Whan2 (AUTHOR), Kwon, Hea In1 (AUTHOR), Kim, Gyoung Chan1 (AUTHOR), Kim, Dong Woo1 (AUTHOR) dwkim111@gmail.com, Yeom, Geun Young1,3 (AUTHOR) gyyeom@skku.edu
Zdroj:	Scientific Reports. 7/18/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-12. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.