Bistable Boron-Related Defect Associated with the Acceptor Removal Process in Irradiated p -Type Silicon—Electronic Properties of Configurational Transformations.

Autor:	Nitescu, Andrei1 (AUTHOR) andrei.nitescu@infim.ro, Besleaga, Cristina1 (AUTHOR) cristina.besleaga@infim.ro, Nemnes, George Alexandru2,3 (AUTHOR) nemnes@solid.fizica.unibuc.ro, Pintilie, Ioana1 (AUTHOR) ioana@infim.ro
Zdroj:	Sensors (14248220). Jun2023, Vol. 23 Issue 12, p5725. 16p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.