Carrier Trap Density Reduction at SiO 2 /4H-Silicon Carbide Interface with Annealing Processes in Phosphoryl Chloride and Nitride Oxide Atmospheres.

Autor:	Brzozowski, Ernest1 (AUTHOR) ernest.brzozowski@imif.lukasiewicz.gov.pl, Kaminski, Maciej1,2 (AUTHOR), Taube, Andrzej1 (AUTHOR), Sadowski, Oskar1,2 (AUTHOR), Krol, Krystian2 (AUTHOR), Guziewicz, Marek1 (AUTHOR) marek.guziewicz@imif.lukasiewicz.gov.pl
Zdroj:	Materials (1996-1944). Jun2023, Vol. 16 Issue 12, p4381. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.