数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备 单晶碳化硅的研究进展.

Autor: 隋占仁1,2 imszr@qq.com, 徐凌波1,2 xlb@zstu.edu.cn, 崔　灿1, 王　蓉2,3, 杨德仁2,3, 皮孝东2,3 xdpi@zju.edu.cn, 韩学峰2,3 xuefenghan@zju.edu.cn
Zdroj: Journal of Synthetic Crystals. Jun2023, Vol. 52 Issue 6, p1067-1085. 19p.
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