Si 衬底上外延生长 GaN 基射频电子材料的研究进展.

Autor: 杨学林1,2,3 xlyang@pku.edu.cn, 沈 波1,2,3,4 bshen@pku.edu.cn
Zdroj: Journal of Synthetic Crystals. May2023, Vol. 52 Issue 5, p723-731. 9p.
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