Strain effect on the performance of proton-irradiated GaN-based HEMT.

Autor:	Li, Qicong1,2 (AUTHOR), Lou, Haijun1,3 (AUTHOR) louhj04@zju.edu.cn, Zhu, Linli1,2 (AUTHOR) llzhu@zju.edu.cn
Zdroj:	Applied Physics A: Materials Science & Processing. May2023, Vol. 129 Issue 5, p1-13. 13p. 14 Graphs.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.