Impact of High-K and Gate-to-Drain Spacing in InGaAs/InAs/InGaAs-based DG-MOS-HEMT for Low-leakage and High-frequency Applications.

Autor:	Baskaran, S.1 (AUTHOR) skpbaskar@gmail.com, Saravana Kumar, R.2 (AUTHOR) saravanaelectron@gmail.com, Saminathan, V.3 (AUTHOR) nvsami2010@gmail.com, Poornachandran, R.4 (AUTHOR) poornachandran6493@gmail.com, Mohan Kumar, N.5 (AUTHOR) mnagaraj2@gitam.edu, Janakiraman, V.6 (AUTHOR) janakiraman.g.v@gmail.com
Zdroj:	IETE Journal of Research. Mar2023, Vol. 69 Issue 3, p1222-1232. 11p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.