Electrical properties of Al/p-Si diode with AlN interface layer under temperature and illumination stimuli for sensing applications.

Autor:	Yiğit, Evin1 (AUTHOR), Sevgili, Ömer2 (AUTHOR) omersevgili06@gmail.com, Orak, İkram3,4 (AUTHOR)
Zdroj:	Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2023, Vol. 129 Issue 3, p1-11. 11p. 1 Color Photograph, 1 Diagram, 4 Charts, 8 Graphs.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.