Enhancing the Resistive Switching Behavior of WORM Memory Devices Using D−π−A Based Ester‐Flanked Quinolines**.

Autor:	Angela, Varghese M.1 (AUTHOR), Harshini, Deivendran1 (AUTHOR), Anjali, Anshika1 (AUTHOR), Imran, Predhanekar M.2 (AUTHOR), Bhuvanesh, Nattamai S. P.3 (AUTHOR), Nagarajan, Samuthira1 (AUTHOR) snagarajan@cutn.ac.in
Zdroj:	Chemistry - A European Journal. 2/7/2023, Vol. 29 Issue 8, p1-12. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.