NbO2-based locally active memristors: from physical mechanisms to performance optimization.

Autor:	Chen, Pei1,2 (AUTHOR), Zhang, Xumeng1,3,4 (AUTHOR), Liu, Qi1,3,4 (AUTHOR), Liu, Ming1,3,4 (AUTHOR) liuming@fudan.edu.cn
Zdroj:	Applied Physics A: Materials Science & Processing. Dec2022, Vol. 128 Issue 12, p1-17. 17p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.