A Single-Bitline 9T SRAM for Low-Power Near-Threshold Operation in FinFET Technology.

Autor:	Abbasian, Erfan1 (AUTHOR) erfan.cmu@gmail.com, Gholipour, Morteza1 (AUTHOR), Birla, Shilpi2 (AUTHOR)
Zdroj:	Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Nov2022, Vol. 47 Issue 11, p14543-14559. 17p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.