MoS 2 Transistors with Low Schottky Barrier Contact by Optimizing the Interfacial Layer Thickness.

Autor:	Cheng, Jinbing1 (AUTHOR) chengjinbing1988@163.com, He, Junbao1 (AUTHOR), Pu, Chunying1 (AUTHOR), Liu, Congbin1 (AUTHOR) chengjinbing1988@163.com, Huang, Xiaoyu1 (AUTHOR), Zhang, Deyang2 (AUTHOR), Yan, Hailong2 (AUTHOR), Chu, Paul K.3 (AUTHOR)
Zdroj:	Energies (19961073). Sep2022, Vol. 15 Issue 17, p6169. 8p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.