Blocking-Layer Design for the Suppression of Parasitic Recombination in High-Power Laser Diodes with a GaAs Waveguide.

Autor:	Muretova, M. E.1 (AUTHOR), Zubov, F. I.1,2 (AUTHOR) fedyazu@mail.ru, Asryan, L. V.3 (AUTHOR), Shernyakov, Yu. M.4 (AUTHOR), Maximov, M. V.1,2 (AUTHOR), Zhukov, A. E.1,2 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Apr2022, Vol. 56 Issue 4, p246-252. 7p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.