Formation of Facets in GaAs Crystals Doped with Sn and Te during the Growth by the Czochralski Method.

Autor:	Yugova, T. G.1 (AUTHOR) P_Yugov@mail.ru, Knyazev, S. N.1 (AUTHOR), Pavlova, O. S.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Crystallography Reports. Jun2022, Vol. 67 Issue 3, p323-326. 4p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.