Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures.

Autor:	Saidov, A. S.1 (AUTHOR), Razzokov, A. Sh.2 (AUTHOR) razzokov.a@bk.ru
Zdroj:	Crystallography Reports. Apr2022, Vol. 67 Issue 2, p301-305. 5p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.