Latent Accumulation of Surface States in MOS Structures after Exposure to Ionizing Radiation.

Autor:	Aleksandrov, O. V.1 (AUTHOR) Aleksandr_ov@mail.ru
Zdroj:	Semiconductors. Jun2021, Vol. 55 Issue 6, p578-582. 5p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.