High-Quality Etching of GaN Materials with Extremely Slow Rate and Low Damage.

Autor:	Zhang, X.-M.1,2 (AUTHOR), Yan, C.-L.1 (AUTHOR) changling_yan@126.com, Yu, G.-H.2 (AUTHOR), Zeng, C.-H.1,2 (AUTHOR), Sun, T.-Y.2 (AUTHOR), Xing, Z.2 (AUTHOR), Wang, Y.-Q.2 (AUTHOR), Yang, J.-H.1 (AUTHOR), Zhang, B.-S.2 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p387-393. 7p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.