Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.

Autor: Jabli, F.1,2 (AUTHOR), Dhouibi, S.3,4 (AUTHOR), Gassoumi, M.2,5 (AUTHOR) malek.gassoumi@univ-lille1.fr
Zdroj: Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383. 5p.
Databáze: Academic Search Ultimate
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje