Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
Autor: | Jabli, F.1,2 (AUTHOR), Dhouibi, S.3,4 (AUTHOR), Gassoumi, M.2,5 (AUTHOR) malek.gassoumi@univ-lille1.fr |
---|---|
Zdroj: | Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383. 5p. |
Databáze: | Academic Search Ultimate |
Externí odkaz: | |
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje | K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit. |