Diffusion of In Atoms in SiO2 Films Implanted with As+ Ions.

Autor:	Tyschenko, I. E.1 (AUTHOR) tys@isp.nsc.ru, Voelskow, M.2 (AUTHOR), Si, Zh.3 (AUTHOR), Popov, V. P.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p289-295. 7p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.