The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films.

Autor:	Voitsekhovskii, A. V.1 (AUTHOR), Nesmelov, S. N.1 (AUTHOR) nesm69@mail.ru, Dzyadukh, S. M.1 (AUTHOR), Varavin, V. S.2 (AUTHOR), Dvoretskii, S. A.1,2 (AUTHOR), Mikhailov, N. N.1,2 (AUTHOR), Sidorov, G. Yu.1,2 (AUTHOR), Yakushev, M. V.2 (AUTHOR), Marin, D. V.2 (AUTHOR)
Zdroj:	Technical Physics Letters. Feb2021, Vol. 47 Issue 2, p189-192. 4p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.