Plasmachemical and Wet Etching in the Postgrowth Technology of Solar Cells Based on the GaInP/GaInAs/Ge Heterostructure.

Autor:	Malevskaya, A. V.1 (AUTHOR) amalevskaya@mail.ioffe.ru, Zadiranov, Yu. M.1 (AUTHOR), Malevskii, D. A.1 (AUTHOR), Pokrovskii, P. V.1 (AUTHOR), Il'inskaya, N. D.1 (AUTHOR), Andreev, V. M.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Technical Physics Letters. Feb2021, Vol. 47 Issue 2, p114-117. 4p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.